特許
J-GLOBAL ID：200903036103300797
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377485
公開番号（公開出願番号）：特開2002-179498
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：
【要約】【課題】 マイクロパイプを有する炭化珪素基板において、より実用的なマイクロパイプの閉塞技術を提供すること。【解決手段】 SiC基板温度が1800°C程の高温では、SiC基板10からSiCの昇華が発生する。そして、SiC基板裏面より基板表面の温度が低くなっていることから、温度が高い基板裏面近傍12bから昇華したガスが中空であるマイクロパイプ欠陥11を通して、温度の低い基板表面近傍12aに移動する。そして、基板表面側はCVD法によりエピタキシャル成長が進行しており、基板裏面近傍12bから昇華したSiCの昇華ガスは、基板表面近傍12aにて再結晶化し、マイクロパイプ欠陥11が閉塞する。
請求項（抜粋）：
マイクロパイプを有する炭化珪素基板の厚さ方向に、前記基板の表面の温度をその反対の裏面の温度に対して低くなるように温度差を作り、前記表面に少なくとも炭素を含むガスと珪素を含むガスを供給し、前記炭化珪素基板の表面に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Fターム (7件)：
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077DB02
, 4G077ED06
, 4G077EH09
, 4G077EH10
