特許
J-GLOBAL ID：200903055916417998
酸化珪素膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山下 昭彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134661
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299339
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法により酸化珪素膜を低温で成膜した場合でも、極めて不純物の少ない酸化珪素膜を製造することができる酸化珪素膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも有機珪素ガスおよび酸素原子を含むガスを原料ガスとして用い、反応チャンバー内でプラズマCVD法により基材に対して酸化珪素膜を成膜する酸化珪素膜の製造方法であって、上記基材が基材表面上に酸化珪素膜が成膜できる程度プラズマ中心から離れた位置に配置され、かつ上記基材表面の温度が上記反応チャンバー内壁面の温度より高くなるように温度制御されて成膜することを特徴とする酸化珪素膜の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
少なくとも有機珪素ガスおよび酸素原子を含むガスを原料ガスとして用い、反応チャンバー内でプラズマCVD法により基材に対して酸化珪素膜を成膜する酸化珪素膜の製造方法であって、前記基材が基材表面上に酸化珪素膜が成膜できる程度プラズマ中心から離れた位置に配置され、かつ前記基材表面の温度が前記反応チャンバー内壁面の温度より高くなるように温度制御されて成膜することを特徴とする酸化珪素膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, B32B 9/00
, C23C 16/42
H01L 21/316 X
, B32B 9/00 A
, C23C 16/42
4F100AA20B
, 4F100AK04
, 4F100AK07
, 4F100AK25
, 4F100AK42
, 4F100AK45
, 4F100AK46
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100EH112
, 4F100EH662
, 4F100EJ612
, 4F100GB15
, 4F100GB23
, 4F100JA04A
, 4F100JA20B
, 4F100JD02
, 4F100JD03
, 4F100JD04
, 4F100JM02B
, 4F100YY00
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030FA04
, 4K030HA16
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA13
, 4K030JA16
, 4K030LA01
, 5F058BA20
, 5F058BB06
, 5F058BC02
, 5F058BF07
, 5F058BF25
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BG03
, 5F058BG04
, 5F058BG10
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (6件)
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