窒化物半導体発光素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-011426
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234512
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高い発光素子の製造方法を実現する。【解決手段】第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされる。酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長された後、第2の主面を研磨する工程を備える。また、第1の薄膜を形成する工程後あるいは第1の薄膜に熱伝導性および導電性を有する導電性接着剤層を形成した後にチップ化する工程を備える。

請求項（抜粋）：

第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長された後、第2の主面を研磨する工程と、研磨された第2の主面上に前記第1の薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/022

FI (3件)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C , H01S 5/022

Fターム (11件)：

5F041AA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041DA03 , 5F041DA19 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073EA29 , 5F073FA22

引用特許：

審査官引用 (15件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-352259 出願人：日亜化学工業株式会社
電気素子の接合材料および接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-140175 出願人：日本電装株式会社

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