特許
J-GLOBAL ID：200903056230987514

製造装置および発光装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
村上 雅一

村上 雅一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-327392
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146369
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】 本発明は、EL材料の利用効率を高め、且つ、EL層成膜の均一性やスループットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。【解決手段】本発明は、蒸着室内において、蒸着材料が封入された容器を複数個設置した細長い矩形形状の蒸着源ホルダ17に設け、基板13に対してあるピッチで移動しながら蒸着を行うことを特徴とする。また、基板の一辺に対して矩形形状の蒸着ホルダの長手方向を斜めにしたまま移動させてもよい。また、TFT作製時におけるレーザー光の走査方向に対して、蒸着時における蒸着ホルダの移動方向を異ならせることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ロード室、該ロード室に連結された搬送室、及び該搬送室に連結された複数の成膜室と、該成膜室に連結された設置室を有する製造装置であって、 前記複数の成膜室は、前記成膜室内を真空にする第1の真空排気処理室と連結され、マスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段と、基板保持手段と、矩形である複数の蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダをそれぞれ移動させる手段と、 前記蒸着源ホルダには長手方向に配置された蒸着材料が封入された容器と、前記容器を加熱する手段と、 前記設置室は、前記設置室内を真空にする第2の真空排気処理室と連結され、前記設置室には容器を加熱する手段と、前記成膜室内の前記蒸着源ホルダに前記容器を搬送する手段とを有することを特徴とする製造装置。
IPC (5件)：
H05B33/10 ,  C23C14/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (4件)：
H05B33/10 ,  C23C14/24 C ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612D
Fターム (60件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BA64 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA15 ,  4K029DA09 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13 ,  4K029DB14 ,  4K029DB15 ,  4K029DB18 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03 ,  4K029HA04 ,  4K029JA01 ,  4K029KA09 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110EE28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG45 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (13件)
  • 成膜装置及び成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-394259   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 有機薄膜形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019292   出願人：アネルバ株式会社
  • 特開昭63-313123
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