特許
J-GLOBAL ID：200903056745111476

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
永嶋 宏行

永嶋 宏行 について

, 
井上 裕文

井上 裕文 について

, 
戸田 春希

戸田 春希 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269770
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099198
出願日： 2007年10月17日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体装置において、多値データの書き込みを高速に行う。【解決手段】可変抵抗素子を使用した電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルをマトリクス状に配置してなるメモリセルアレイと、3値以上の書き込みデータに基づいて可変抵抗素子の抵抗値を3段階以上に変化させる複数種類の書き込みパルスを生成出力するパルスジェネレータと、書き込みアドレスに基づいてメモリセルアレイの書き込むべきメモリセルを選択してパルスジェネレータから生成出力された書き込みパルスを供給する選択回路とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
可変抵抗素子を使用した電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルをマトリクス状に配置してなるメモリセルアレイと、 3値以上の書き込みデータに基づいて前記可変抵抗素子の抵抗値を3段階以上に変化させる複数種類の書き込みパルスを生成出力するパルスジェネレータと、 書き込みアドレスに基づいて前記メモリセルアレイの書き込むべきメモリセルを選択して前記パルスジェネレータから生成出力された書き込みパルスを供給する選択回路と を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 13/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (7件)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (15件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083ZA21 ,  5F083ZA30
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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