特許
J-GLOBAL ID：200903056870987120
評価方法、製造条件補正方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203841
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い評価方法及びその評価方法の実施によって得られた評価結果に基づく半導体装置の製造条件補正方法並びにその製造条件補正方法の実施によって補正された製造条件を用いた半導体装置の製造方法を提案する。【解決手段】 ウェハ上に形成されたフォトレジストを露光及び現像することによって、距離xを成して、互いに対向する一対のパターン1,2をフォトレジストに形成し、フォトレジストに形成されたパターン1,2間の距離xを測定する。そして、その測定結果を用いて、例えば露光エネルギーの変動量を評価する。露光エネルギーなどの変動によって、変化し易いパターン1,2間の距離xを用いて評価しているため、その評価結果の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
(a)ウェハ上に形成されたフォトレジストに対して露光及び現像を行うことによって、互いに対向する少なくとも一対のパターンを有するテストパターンを前記フォトレジストに形成し、前記フォトレジストに形成された前記パターン間の距離を測定する工程を備え、前記工程(a)は複数回実行され、(b)前記工程(a)の実行によって得られた測定結果を用いて、経時的な露光エネルギーの変動量を評価する工程を更に備える、評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66
G03F 1/08 D
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66 Y
, H01L 21/30 516 Z
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 516 C
, H01L 21/30 516 A
, H01L 21/30 526 Z
, H01L 21/30 518
2H095BA07
, 4M106AA07
, 4M106AA11
, 4M106BA01
, 4M106CA10
, 4M106CA70
, 5F046AA18
, 5F046DB05
, 5F046DB08
, 5F046DB11
, 5F046JA21
, 5F046LA14
, 5F046LA15
