特許
J-GLOBAL ID：200903056996947247
渦電流測定あるいは光学測定を利用して、メタライゼーション処理を実状態で監視する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-547540
公開番号（公開出願番号）：特表2003-522937
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2003年07月29日
要約：
【要約】【課題】 サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。【解決手段】 渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第1の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび/または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第2の信号を測定する。第1の信号に含まれる利得及び/又は位相の歪みを第2の信号に基づいて校正する。校正した第1の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨(CMP)システムを開示する。このCMPシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。
請求項（抜粋）：
サンプルに形成された薄膜を除去しながら、検出コイルを組み込んだ渦電流プルーブを用いて、該薄膜に関する情報を実状態で取得する方法であって、 (a)前記渦電流プルーブの検出コイルに交流電圧を印加する工程と、 (b)前記渦電流プルーブの検出コイルが前記サンプルの薄膜に近接したときに、該検出コイルに生じる第1の信号を測定する工程と、 (c)特定の組成を有し、あるいは前記渦電流プルーブの検出コイルから所定距離に設けられた基準部材に該検出コイルが近接したときに、該検出コイルに生じる第2の信号を測定する工程と、 (d)前記第1の信号に含まれる利得あるいは位相の歪みを補正するべく、前記第2の信号に基づいて該第1の信号を校正する工程と、 (e)前記校正した第1の信号に基づいて、前記薄膜の特性値を決定する工程と を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 11/06 Z
, G01B 7/10 Z
2F063AA16
, 2F063BA30
, 2F063BC09
, 2F063BD13
, 2F063DA05
, 2F063GA08
, 2F063GA30
, 2F063LA19
, 2F063LA27
, 2F065AA30
, 2F065AA63
, 2F065BB01
, 2F065BB17
, 2F065CC02
, 2F065FF41
, 2F065GG23
, 2F065HH14
, 2F065LL02
, 2F065LL04
出願人引用 (20件)
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特開昭57-066354
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特開昭61-086601
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特開昭61-102504
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審査官引用 (14件)
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