特許
J-GLOBAL ID：200903057433623301

集積センサ

発明者：
スタウス,ジェイソン

スタウス,ジェイソン について

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ディッキンソン,リチャード

ディッキンソン,リチャード について

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フォレスト,グレン

フォレスト,グレン について

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ヴィグ,ラヴィ

ヴィグ,ラヴィ について


出願人/特許権者：
アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド

アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  竹内 茂雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-568309
公開番号（公開出願番号）：特表2006-514283
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
集積センサ(10)は、シリコン基板(14)上に配置された、又はそれに集積されて配置された、デバイスに電気的に接続された磁気抵抗素子(12)を含む。導体(26)は、磁気抵抗素子の近傍に備えられる。集積センサ電流センサ、磁場センサ又はアイソレータのような、種々のデバイスを提供するために用いられてもよい。さらに集積センサは、開ループ構成、又は追加の導体が備えられた閉ループ構成で用いられてもよい。磁気抵抗素子は、シリコン基板上でも、又は別個のシリコンでない基板上に形成されてもよい。また基板、基板の表面上に配置された磁場変換器、磁場変換器の近傍の基板の表面上に配置された導体からなる、集積センサが記述される。磁場変換器は、ホール効果変換器又は磁気抵抗素子であってよい。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つのデバイスを支持するシリコン基板と、 前記シリコン基板上に配置された導体と、 前記導体上に配置され、前記少なくとも1つのデバイスと電気的に結合された磁気抵抗素子とを含む電子回路。
IPC (2件)：
G01R 15/20 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
G01R15/02 B ,  H01L43/08 Z
Fターム (3件)：
2G025AA05 ,  2G025AB01 ,  2G025AC04
引用特許：
審査官引用 (18件)
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