改善されたプログラミングを備えた不揮発性メモリ及び該プログラミングのための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-568378
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519804
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

EEPROMやフラッシュEEPROMなどの、不揮発性電荷の格納能力を持つ不揮発性メモリが、複数のメモリセルに並列印加を行うプログラミング・システムによりプログラムされる。データ依存型プログラミング電圧を用いて、最小数のプログラミング・パルスで各セルの目標状態にセットして、各セルをプログラミングすることにより改善されたパフォーマンスが達成される。よりなだらかな階段波形を持つプログラミング電圧を用いるなどの、さらにきめ細かなプログラミング精度を用いて各々の連続段を実行するマルチフェーズでプログラミング処理を実行することによりさらなる改善が達成される。これらの特徴により、並列にプログラムされるメモリセルグループの目標状態への高速かつ正確な収束が可能となり、それによって、パフォーマンスを犠牲にすることなく各セルが数ビットの情報の格納を行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

1グループのメモリセルを並列にプログラムする方法であって、各メモリセルは、該メモリセルの複数のメモリ状態の間の目標メモリ状態に対応する目標電荷レベルにセットされて個々にプログラム可能な電荷を格納をするように構成される方法において、 1つのメモリセルをプログラムするための複数の電圧レベルを前記複数のメモリ状態のうちの1つのメモリ状態へ供給するステップと、上記グループの各メモリセルのための前記複数の電圧レベルのうちの1つの電圧レベルを選択するステップであって、上記選択された電圧レベルが上記メモリセルの目標メモリ状態の関数となるように構成される選択ステップと、上記選択された電圧の関数として各メモリセルのためのプログラミング電圧を生成するステップと、上記グループのメモリセルを並列にプログラムするステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (1件)：

G11C16/02

FI (2件)：

G11C17/00 611E , G11C17/00 611A

Fターム (4件)：

5B025AC02 , 5B025AC03 , 5B025AD04 , 5B025AF01

引用特許：

審査官引用 (14件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-311740 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置及びその閾値制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-031810 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-278596

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引用文献：

審査官引用 (3件)

Low-Voltage Multi-level Flash Memory: Determination of Minimum Spacing between Multi-levels
Multi-level Flash/EPROM Memories: New Self-convergent Programming Methods for Low-voltage Applicatio
A 98mm2 3.3V 64Mb Flash Memory with FN-NOR Type 4-level Cell

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