不揮発性半導体記憶装置および閾値電圧書込み方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：田澤博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199355
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030476
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】従来の不揮発性半導体記憶装置では一定の電圧の書込み電圧を用いて閾値電圧を設定していたため、閾値電圧のばらつきが大きかったり、書込み時間の長期化を招いていた。【解決手段】書込み電圧を、書込み段階に応じてだんだんと小さくなるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体記憶装置の不揮発性メモリセルに閾値電圧を書込む閾値電圧書込み方法において、上記不揮発性メモリセルのドレイン端子に印加する書込み電圧を暫時低下させつつ上記不揮発性メモリセルへの閾値電圧の書込みを行なうことを特徴とするメモリセルへの閾値電圧書込み方法。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02

FI (2件)：

G11C 17/00 634 F , G11C 17/00 611 E

Fターム (4件)：

5B025AA01 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (11件)

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