特許
J-GLOBAL ID：200903059363008470

半導体装置の製造方法

発明者：
冨田 和朗

冨田 和朗 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-295277
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060606
出願日： 2007年11月14日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】最上層に銅の層を有するシールリングの酸化および腐食を防止しつつ、ダイシングの際の回路形成領域におけるクラック発生を防止する。【解決手段】シリコン基板101上の層間絶縁膜109に、シールリング110の最上層となる銅の配線層114を形成し、その上面を覆うアルミ配線層141を形成する。そして層間絶縁膜109及びアルミ配線層141上にプラズマ窒化膜層121を形成し、ダイシング領域とシールリングとの間に、プラズマ窒化膜層121を貫通する開口部123を設ける。アルミ配線層141の幅は配線層114の幅よりも大きく形成される。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
回路形成領域とダイシング領域とを有する半導体基板を準備する工程と、 前記半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第1層間絶縁膜内に第1溝を形成してからめっき法により銅金属を前記第1溝内に堆積することにより、前記回路形成領域を取り囲むような前記銅金属を含有するシールリングを形成する工程と、 前記第1層間絶縁膜上にアルミニウム金属膜を形成する工程と、 前記アルミニウム金属膜を第1マスクを用いてエッチングすることにより、前記シールリングの上面を覆うようなアルミニウム金属層を形成する工程と、 前記第1層間絶縁膜及び前記アルミニウム金属層上に窒化膜を形成する工程と、 前記窒化膜に、第2マスクを用いてエッチングすることにより、前記ダイシング領域と前記シールリングとの間に前記窒化膜を貫通するような第1開口部を設ける工程と、 を有し、 前記アルミニウム金属層の幅は前記シールリングの幅よりも大きくなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (2件)：
H01L21/88 S ,  H01L21/88 M
Fターム (47件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN37 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033VV00 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20
引用特許：
審査官引用 (11件)
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