特許
J-GLOBAL ID:200903060983523917
化学機械研磨方法及び素子微細化分離用研磨パッド
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-305037
公開番号(公開出願番号):特開2004-140264
出願日: 2002年10月18日
公開日(公表日): 2004年05月13日
要約:
【課題】ディッシングが抑制され、スクラッチの発生が抑制される素子微細化分離工程、特にSTI工程に好適な化学機械研磨方法及び素子微細化分離用研磨パッドを提供する。【解決手段】半導体装置の製造における素子微細化分離工程(特にSTI工程)に用いられる化学機械研磨方法であって、未架橋1,2-PBDと、未架橋EVAと、β-シクロデキストリン粒子と有機過酸化物とを含有する混練物を金型内で架橋処理して得られ、10質量%以上の架橋1,2-PBD及び架橋EVAを含有する非水溶性マトリックスと、非水溶性マトリックス中に分散され、β-シクロデキストリンからなる水溶性粒子とを含有する研磨パッド用組成物からなる研磨部を備える研磨パッドを用いる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体装置の製造における素子微細化分離工程に用いられる化学機械研磨方法であって、架橋重合体を含有する非水溶性マトリックスと該非水溶性マトリックス中に分散された水溶性粒子とを含有する研磨パッド用組成物からなる研磨部を備える研磨パッドを用いて被研磨面を研磨することを特徴とする化学機械研磨方法。
IPC (8件):
H01L21/304
, B24B37/00
, B24D3/00
, B24D3/28
, C08J5/14
, C08L23/08
, C08L47/00
, C08L101/14
FI (8件):
H01L21/304 622F
, B24B37/00 C
, B24D3/00 350
, B24D3/28
, C08J5/14
, C08L23/08
, C08L47/00
, C08L101/14
Fターム (80件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058DA12
, 3C063AA10
, 3C063BC03
, 3C063BD01
, 3C063EE10
, 3C063EE26
, 3C063FF23
, 4F071AA09
, 4F071AA10
, 4F071AA12
, 4F071AA15
, 4F071AA26
, 4F071AA29
, 4F071AA32
, 4F071AA33
, 4F071AA42
, 4F071AA43
, 4F071AA49
, 4F071AA52
, 4F071AA53
, 4F071AA54
, 4F071AB15
, 4F071AB18
, 4F071AB26
, 4F071AC09
, 4F071AF27
, 4F071AF28
, 4F071DA20
, 4J002AB01X
, 4J002AB05X
, 4J002AC03W
, 4J002AC04W
, 4J002AC06W
, 4J002AC07W
, 4J002AC08W
, 4J002AC11X
, 4J002AD00X
, 4J002BB00W
, 4J002BB06W
, 4J002BB15W
, 4J002BC04W
, 4J002BC05W
, 4J002BD12W
, 4J002BD14W
, 4J002BE02X
, 4J002BF01W
, 4J002BF03W
, 4J002BG01X
, 4J002BG02W
, 4J002BN15W
, 4J002BQ00X
, 4J002CB00W
, 4J002CC03W
, 4J002CD00W
, 4J002CF00W
, 4J002CF21W
, 4J002CG00W
, 4J002CH02X
, 4J002CK01W
, 4J002CK02W
, 4J002CL00W
, 4J002CP03W
, 4J002DD056
, 4J002DE097
, 4J002DE137
, 4J002DE147
, 4J002DE226
, 4J002DF026
, 4J002DH046
, 4J002DJ017
, 4J002EG026
, 4J002FD200
, 4J002FD310
, 4J002FD326
, 4J002GJ01
, 4J002GM00
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (3件)
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