特許
J-GLOBAL ID：200903029604856012

半導体装置およびその製造方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-069874
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253504
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 半導体装置の配線構造中の絶縁膜を低誘電率化するとともに、製造安定性を向上させる。【解決手段】 半導体装置100は、銅含有金属により構成される第1配線108と、第1配線108の上部を被覆する第1のCuシリサイド層111と、Cuシリサイド層111の上部に設けられ、第1配線108に接続される導電性の第1プラグ114と、第1プラグ114の上部を被覆するCuシリサイド層117と、第1配線108の側壁から第1プラグ114の側壁にわたって設けられ、第1配線108の側壁と、第1配線108の上部と、第1プラグ114の側壁とを覆うように形成された第1ポーラスMSQ膜105と、第1ポーラスMSQ膜105の下層にあって、第1配線108の側壁下部に接するとともに、第1ポーラスMSQ膜105よりも膜密度の高い第1SiCN膜103と、を有する配線構造を備える。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
銅含有金属により構成される第1の配線と、 前記第1の配線の上部に接して設けられて、前記第1の配線の上部を被覆する第1のキャップメタル膜と、 前記第1のキャップメタル膜の上部に設けられ、前記第1の配線に接続される導電性のビアと、 前記第1の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたって設けられ、前記第1の配線の側壁と、前記第1の配線の上部と、前記ビアの側壁とを覆うように形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の下層にあって、前記第1の配線の側壁下部に接するとともに、前記絶縁膜よりも膜密度の高い補強絶縁膜と、 を有する配線構造を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320
FI (4件)：
H01L21/90 J ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 N
Fターム (47件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN02 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6413852号明細書
審査官引用 (15件)
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