特許
J-GLOBAL ID：200903061540725874

半導体素子の製造方法

発明者：
薬師寺 健次

薬師寺 健次 について

, 
楠木 克輝

楠木 克輝 について

, 
三木 久幸

三木 久幸 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293340
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135309
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 チップ形状が五角形以上の多角形のIII族窒化物半導体素子を面積効率よく、低コストで製造する方法を提供すること。【解決手段】 基板上にIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および/または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
チップ形状が五角形以上の多角形であるIII族窒化物半導体素子の製造方法において、基板上にIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および/または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 Q ,  H01L33/00 N
Fターム (8件)：
5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (11件)
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