配線接続構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-058384
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273523
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】ストレスマイグレーションによるビア下配線中のボイドの集中を抑制する配線接続構造を提供する。【解決手段】本発明の配線接続構造は、基板上に形成された銅層よりなる配線層3と、配線層3上に形成され、かつ配線層3に達するビア4aを有する層間絶縁層4と、ビア4aを通じて配線層3と電気的に接続され、かつ層間絶縁層4内に形成された銅層よりなる配線層6と、配線層6と層間絶縁層4との間に形成されたバリアメタル層5とを備えている。バリアメタル層5はビア4aの底部において開口を有し、その開口を通して配線層6はビア4aの底部において配線層3と直接接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、銅層よりなる第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成され、かつ前記第1の導電層に達する孔を有する絶縁層と、前記絶縁層内に形成され、前記孔を通じて前記第1の導電層と電気的に接続された銅層よりなる第2の導電層と、前記第2の導電層および前記孔と、前記絶縁層との間に形成されたバリアメタル層とを備え、前記バリアメタル層は前記孔の底部において開口を有し、前記開口を通して前記第2の導電層は前記第1の導電層と直接接している、配線接続構造。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 A

Fターム (40件)：

5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM21 , 5F033MM22 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN17 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-096966 出願人：ソニー株式会社
Al系配線構造及びAl系配線構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238904 出願人：ソニー株式会社
集積回路の金属層間の低抵抗コンタクトおよびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-191112 出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド

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