特許
J-GLOBAL ID：200903063694634246
半導体ウエハ研磨用研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青山 葆
, 山本 宗雄
, 後藤 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-318165
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128563
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 本発明により、光学的終点検出における窓材の光学的劣化やスラリー漏れの発生による研磨の経過による終点検出精度の低下の問題がなく、感度および精度の良好な渦電流式非接触抵抗計による終点検出が可能な研磨を行うことができる、半導体ウエハ研磨用研磨パッド、上記研磨パッドを用いた研磨装置および研磨方法、並びに上記研磨装置を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、半導体ウエハを研磨するための研磨層を有する研磨パッドであって、該研磨層の研磨面と相対する裏面の特定部位に窪みを有し、該窪み部位において研磨層全体の厚さより薄い研磨層部位を有し、薄い研磨層部位と他の研磨層部位とが同一材料から成ることを特徴とする半導体ウエハ研磨用研磨パッドに関する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを研磨するための研磨層を有する研磨パッドであって、該研磨層の研磨面と相対する裏面の特定部位に窪みを有し、該窪み部位において研磨層全体の厚さより薄い研磨層部位を有し、薄い研磨層部位と他の研磨層部位とが同一材料から成り、該窪みが深さ0.3〜1.0mmを有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用研磨パッド。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 37/04
H01L21/304 622F
, H01L21/304 622S
, B24B37/00 C
, B24B37/04 K
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AC02
, 3C058BA01
, 3C058BA07
, 3C058CB01
, 3C058DA17
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (2件)
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