特許
J-GLOBAL ID：200903064574463851

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
清水 宏明

清水 宏明 について

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大下 京子

大下 京子 について

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平原 孔明

平原 孔明 について

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鈴木 優一

鈴木 優一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-173817
公開番号（公開出願番号）：特開2009-014815
出願日： 2007年07月02日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】優れたMEFを達成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、酸解離性基含有基を有さない酸発生剤成分(B1)と、酸解離性基含有基を有する酸発生剤成分(B2)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分(B)が、酸解離性基含有基を有さない酸発生剤成分(B1)と、酸解離性基含有基を有する酸発生剤成分(B2)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (15件)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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