特許
J-GLOBAL ID：200903064604295746

描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法

発明者：
三井 壮一郎

三井 壮一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087820
公開番号（公開出願番号）：特開2005-274953
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】必要な転写位置精度を実現可能な反射型露光用マスクをすることを提供すること。【解決手段】マスク基板を露光装置に搭載し(ST101)、マスク基板の高さ分布データを取得する(ST102)。高さ分布データから表面の凹凸と局所的な曲面の勾配を演算し(ST104)、凹凸と勾配と露光装置の光学系のパラメータからマスクパターンの結像位置ずれを算出する(ST105)。結像位置ずれに基づいて結像位置ずれを補正するための方正描画パターンを作成する(ST106)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非テレセントリック光学系を介して被転写基板上にマスクパターンを反射投影する露光装置で使用されるマスク基板をマスクブランクス基板から形成するために、前記マスクブランクス基板に前記マスクパターンを描画する際に使用される描画パターンデータを設計パターンデータから生成する描画パターンデータの生成方法であって、 前記マスクブランクス基板が前記非テレセントリック光学系の入射側に配置された状態での前記マスクブランクス基板の高さ分布情報を測定或いは演算によって導出することと、 この高さ分布情報から前記マスクブランクス基板表面の凹凸及び局所的な曲面の勾配を演算することと、 前記設計パターンデータに対応する対応パターンデータに基づいて前記マスクブランクス基板にパターンを描画し、前記描画されたパターンを前記非テレセントリック光学系を介して前記被転写基板上に反射投影する場合に、前記マスクブランクス基板の凹凸及び勾配及び非テレセントリック光学系のパラメータに対応して前記被転写基板に生じる結像位置のずれ量を演算することと、 前記結像位置のずれ量に基づいて前記対応パターンデータを補正することと を含むことを特徴とする描画パターンデータの生成方法。
IPC (3件)：
G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (5件)：
G03F1/00 L ,  G03F1/00 Y ,  G03F7/20 503 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 531M
Fターム (12件)：
2H095BA06 ,  2H095BA08 ,  2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H095BD02 ,  2H097AA02 ,  2H097LA10 ,  5F046GA03 ,  5F046GB01 ,  5F046GD10 ,  5F046GD17 ,  5F046GD20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 露光装置及び露光方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324769   出願人：株式会社ニコン
  • 米国特許6229871号明細書
審査官引用 (11件)
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