特許
J-GLOBAL ID：200903064707374474

半導体装置及びその製造方法

発明者：
ジョン・レニー

ジョン・レニー について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054798
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】過剰な電圧降下を低減することができるGaN系半導体装置の電流供給用電極の構成とその製造方法を提供する。【解決手段】電流電極の下地となるGaNコンタクト層と前記電流電極との間に、厚さが制御された高純度のGaN表面酸化膜を介在させることにより、GaNコンタクト層の表面準位を除去し、表面障壁の低減を通じて前記電流電極の抵抗を大幅に低下することができる。本電流電極の製造方法は、GaNコンタク層上の厚い初期酸化膜をHF溶液を用いてエッチング除去し、エッチングで表面に残留した弗素を除去し、さらに温水浸漬またはO2 を含むキャリアガス中の熱酸化により一定厚さの酸化膜を形成し、その上に金属膜を真空蒸着することにより行われる。
請求項（抜粋）：
少なくともGa及びNを成分元素とするコンタクト層と、このコンタクト層の表面に隣接し、前記コンタクト層の表面を覆う一定厚さの酸化膜と、この酸化膜の表面に隣接し、さらにこの酸化膜を覆う金属膜とからなる電流供給用の金属電極を具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280692   出願人：昭和電工株式会社
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284074   出願人：三洋電機株式会社

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