特許
J-GLOBAL ID：200903064938431233

半導体歪センサーおよび半導体歪センサーの取付け方法

発明者：
風間 敦

風間 敦 について

, 
岡田 亮二

岡田 亮二 について

, 
川井 哲郎

川井 哲郎 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219342
公開番号（公開出願番号）：特開2009-053005
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。【解決手段】 半導体にピエゾ抵抗素子を形成した歪センサーチップと金属性のベース板、センサーチップの電極から外部に配線を引き出す配線を有し、歪センサーチップはベース板に金属材料により接合され、ベース板にはセンサーチップの接合部を挟む少なくとも2箇所に、測定対象物に接続するための接続エリアを有する半導体歪センサーを構成する。センサーチップが金属性のベース板に金属材料で接合されていることから、センサーチップで発生した熱が、センサーチップ裏面からベース板に逃げやすく、センサーチップの温度上昇、およびセンサーチップとベース板の温度不均一による熱変形を防げる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板にピエゾ抵抗素子を形成した歪センサーチップと、金属製のベース板と、前 記歪センサーチップの電極から外部に配線を引き出す配線部とを有し、歪センサーチップ 裏面とベース板表面は金属接合材で接合され、歪センサーチップの側方に張り出したベー ス板部に、測定対象物と固着する少なくとも2つ以上の接続エリアを有することを特徴と する半導体歪センサー。
IPC (3件)：
G01B 7/16 ,  G01L 1/18 ,  G01L 3/10
FI (3件)：
G01B7/16 R ,  G01L1/18 A ,  G01L3/10 311
Fターム (8件)：
2F063AA25 ,  2F063CB01 ,  2F063EC06 ,  2F063EC13 ,  2F063EC14 ,  2F063EC16 ,  2F063EC20 ,  2F063EC26
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (18件)
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