特許
J-GLOBAL ID：200903065294783512
半導体接合方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-141334
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311687
出願日： 2006年05月22日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】ウェハーに低誘電率材料が使われたり、ウェハーの厚みが薄くなっても、半導体素子の破損や欠け等の発生を防止することができる半導体接合方法及び装置を提供する。【解決手段】個々の半導体素子2に相互に分割され且つ各半導体素子の表面に電極が形成されたウェハーの裏面とウェハーシート保持体1のウェハーシート4とが熱剥離層3で接着されてウェハーをウェハーシート保持体に保持した状態で、ウェハーの1つの半導体素子の電極と電子基板の電極とを対向させて位置決めし、ウェハーシート保持体にウェハーを保持した状態で、ウェハーの1つの半導体素子の電極と電子基板の電極とを接触させつつ、1つの半導体素子と電子基板とを熱圧着して、1つの半導体素子の電極と電子基板の電極とを接合すると同時的に、熱圧着時の熱により熱剥離層の接着力を弱めて、電子基板に接合された1つの半導体素子をウェハーシートから離脱させる。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
電極付きの電子基板と電極付きの半導体素子とを接合する半導体接合方法であって、
個々の半導体素子に相互に分割され且つ各半導体素子の表面に電極が形成されたウェハーの裏面とウェハーシート保持体のウェハーシートとが熱剥離層で接着されて前記ウェハーを前記ウェハーシート保持体に保持した状態で、前記ウェハーの前記半導体素子のうちの1つの半導体素子の前記電極と、前記1つの半導体素子の前記電極に対応する前記電子基板の電極とを対向させて位置決めし、
前記ウェハーシート保持体に前記ウェハーを保持した状態で、前記ウェハーの前記1つの半導体素子の前記電極と前記電子基板の前記電極とを接触させつつ、前記1つの半導体素子と前記電子基板とを熱圧着して、前記1つの半導体素子の前記電極とそれに対応する前記電子基板の前記電極とを接合すると同時的に、前記熱圧着時の熱により前記熱剥離層の接着力を弱めて、前記電子基板に接合された前記1つの半導体素子を前記ウェハーシートから離脱させることを特徴とする半導体接合方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311T
, H01L21/60 311S
5F044KK01
, 5F044LL07
, 5F044LL09
, 5F044LL11
, 5F044PP15
出願人引用 (2件)
-
フリップチップの実装装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-267161
出願人：松下電器産業株式会社
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部品実装装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-215657
出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (9件)
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