特許
J-GLOBAL ID：200903065802407599
発光ダイオードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-164196
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352129
出願日： 2006年06月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。【選択図】図3e
請求項（抜粋）：
基板の上部にパターンを形成する段階と、
前記パターンが形成された基板の上部に第1極性を有する第1層、活性層、第1極性と反対の第2極性を有する第2層と第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の上部に支持部をボンディングする段階と、
前記第1層からパターンされた基板を分離させるリフトオフ工程を行なって、前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを前記第1層に形成する段階と、
前記第1層に第2電極を形成する段階とを含んでなる発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA86
, 5F041CA87
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA94
, 5F041CA98
