特許
J-GLOBAL ID：200903066361256545

水素脱離方法および水素脱離装置

発明者：
織田 一彦

織田 一彦 について

, 
松浦 尚

松浦 尚 について

, 
後 利彦

後 利彦 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-230782
公開番号（公開出願番号）：特開2006-045642
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはIII-V族半導体薄膜の特性を制御することができる水素脱離方法および水素脱離装置を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはIII-V族半導体薄膜に、少なくとも10eVよりも大きいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。また、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜または樹脂膜に、膜の温度が200°C未満である状態で、少なくとも3eVよりも大きく10eVよりも小さいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはIII-V族半導体薄膜に、少なくとも10eVよりも大きいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、前記膜中から水素を脱離させることを特徴とする、水素脱離方法。
IPC (5件)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
C23C16/26 ,  C01B31/02 101Z ,  C23C16/56 ,  C30B29/04 V ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077FH08 ,  4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AD02 ,  4G146AD03 ,  4G146BC08 ,  4G146BC09 ,  4G146DA47 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA07 ,  4K030FA08 ,  4K030FA15 ,  4K030JA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB14 ,  5F045HA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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