支持体から物質を除去する方法

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 小林良博 , 出野知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-542435
公開番号（公開出願番号）：特表2009-517865
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体(18)から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5:1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90°Cの温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90°Cの温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。

請求項（抜粋）：

a)表面に物質を有する支持体を処理室中に置き; b)硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物を、支持体表面を実質的均一に被覆するのに有効な量で支持体表面に投与し;そして c)該液状硫酸組成物を、その温度が水蒸気に暴露する前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露し;その場合、水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は約5:1未満である、ことを含む、支持体から物質を除去する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/42 , G03F 7/16 , H01L 21/304

FI (7件)：

H01L21/30 572B , G03F7/42 , G03F7/16 502 , H01L21/304 643A , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648H , H01L21/304 645B

Fターム (28件)：

2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025EA05 , 2H025FA48 , 2H096AA25 , 2H096JA04 , 2H096LA03 , 5F046MA02 , 5F046MA03 , 5F157AA42 , 5F157AA64 , 5F157AB03 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BC03 , 5F157BC12 , 5F157BC31 , 5F157BD02 , 5F157BD05 , 5F157BE43 , 5F157BG23 , 5F157BG63 , 5F157BG76 , 5F157BG85 , 5F157CB15 , 5F157DB03

引用特許：

審査官引用 (11件)

基板表面処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-122829 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体ウェーハなどのワークピースの処理方法および処理装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-543258 出願人：セミトゥール・インコーポレイテッド
洗浄装置及び洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-298544 出願人：セイコーエプソン株式会社

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