特許
J-GLOBAL ID：200903067588475762

半導体装置およびその製造方法

発明者：
牧 幸生

牧 幸生 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029779
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231828
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタを有する半導体装置のリーク電流を低減する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、活性領域と分離領域とを有する半導体基板1と、活性領域上に酸化膜8を介して形成されたゲート電極9と、ゲート電極9の両側に形成された1組の不純物領域とを備え、活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する。当該ラウンド形状は、分離酸化膜5の形成時にバーズビーク部を活性領域上で接続することで形成できる。
請求項（抜粋）：
活性領域と分離領域とを有する半導体基板と、前記活性領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と備え、前記活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、前記分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 H
Fターム (17件)：
5F083BS02 ,  5F083BS03 ,  5F083BS09 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083NA02 ,  5F083PR05 ,  5F083PR40 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AC32 ,  5F140BB13 ,  5F140BD18 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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