特許
J-GLOBAL ID：200903098453221330
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020173
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217044
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 下部電極を構成する結晶の配向性を高めて高い信頼性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の層間絶縁膜16を形成した後、その上にSiO2キャップ膜17を形成し、熱処理により第1の層間絶縁膜16及びSiO2キャップ膜17中の水分の脱ガスを行う。次に、SiO2キャップ膜17上にAl2O3膜18を形成する。次いで、参加性雰囲気中でAl2O3膜18の熱処理を行うことにより、その表面の酸化を促進させる。その後、Al2O3膜18上にPt膜、PLZT膜及びIrO2膜を形成し、これらのパターニングを行うことにより、上部電極24、容量絶縁膜23及び下部電極22を備えた強誘電体キャパシタを形成する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
表面が平坦化された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜上に形成された酸化アルミニウム膜と、
前記酸化アルミニウム膜上に形成された強誘電体キャパシタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L27/105
, H01L21/8242
, H01L27/108
H01L27/10 444B
, H01L27/10 651
5F083AD10
, 5F083FR02
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA08
, 5F083PR22
, 5F083PR34
, 5F083PR40
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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