特許
J-GLOBAL ID：200903069960267090
フォトマスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103987
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296760
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 フォトマスクに設けられ、下層配線層に対してビアホールを位置合わせするためのビア位置合わせマークM1を、光学的に検知可能な幅寸法以上で、かつ層間絶縁膜の膜厚に対してビアホールのアスペクト比に可及的に近いアスペクト比となる寸法のスリットSL1で構成し、下層配線層で形成される下層位置合わせマークDMに対して配置する構成とする。光学的手法によってビア位置合わせマークの中心位置を高精度に検出することができ、また、ビア位置合わせマークM1により開口される位置合わせ用のホールのエッチング時に下地絶縁膜がオーバエッチングされることがない。
請求項（抜粋）：
下層配線層上に形成された層間絶縁膜にビアホール及び配線溝を形成し、前記ビアホール及び配線溝に配線材料を埋め込んで上層配線層を形成するデュアルダマシン構造の半導体装置を製造する際に用いられるフォトマスクであって、前記フォトマスクに設けられ、前記下層配線層に対して前記ビアホールを位置合わせするためのビア位置合わせマークの幅寸法が、光学的に検知可能な幅寸法以上で、かつ前記層間絶縁膜の膜厚に対して前記ビアホールのアスペクト比に可及的に近いアスペクト比となる寸法であることを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/768
G03F 1/08 M
, H01L 21/30 502 M
, H01L 21/90 A
2H095BE03
, 5F033KK11
, 5F033MM02
, 5F033PP15
, 5F033QQ01
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS15
, 5F033TT02
, 5F033XX01
, 5F033XX03
, 5F046CB17
, 5F046EA03
, 5F046EB02
