特許
J-GLOBAL ID：200903070743311942
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 松本 公雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-373977
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310752
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】接続層の形成が完了した下部構造物の上に形成される金属配線のステップカバレッジ特性を改善して信頼性を向上可能な半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】接触口(23)に沿って層間絶縁膜(22)上にTiNバリア金属膜(44)を形成するステップと、TiNバリア金属膜上にタングステン膜を形成するステップと、タングステン膜に対して過度エッチングを伴う第1エッチングを行い、接触口の内部に埋め込まれるタングステンプラグ(45A)を形成するステップと、露出したTiNバリア金属膜に対して第2エッチングを行い、第1エッチング時に生成された接触口のトップ部の側壁の垂直プロファイルをスローププロファイル(45D)に緩和させるステップと、全面にアルミニウム膜を形成するステップと、該アルミニウム膜を選択的にパターニングし、アルミニウム金属配線を形成するステップとを含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に接触口を有する層間絶縁膜を形成するステップと、
前記接触口の形状に沿って前記層間絶縁膜上にバリア金属膜を形成するステップと、
該バリア金属膜上に前記接触口の内部を満たすまで第1導電膜を形成するステップと、
該第1導電膜に対して、少なくとも過度エッチングを伴う第1エッチングを行い、前記接触口の内部に埋め込まれる接続層を形成するステップと、
前記第1エッチングの後、露出された前記バリア金属膜に対して第2エッチングを行って、前記第1エッチング時に生成された前記接触口のトップ部の側壁の垂直プロファイルをスローププロファイルに緩和させるステップと、
前記第2エッチングが行われたバリア金属膜を含む全面に第2導電膜を形成するステップと、
該第2導電膜を選択的にパターニングし、金属配線を形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/306
H01L21/90 C
, H01L21/90 A
, H01L21/302 104C
5F004AA12
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DB09
, 5F004DB10
, 5F004DB12
, 5F004EA27
, 5F004EA28
, 5F004EA37
, 5F004EB01
, 5F033HH08
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN01
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN12
, 5F033PP19
, 5F033QQ08
, 5F033QQ12
, 5F033QQ14
, 5F033QQ15
, 5F033QQ21
, 5F033WW06
, 5F033WW07
, 5F033XX00
, 5F033XX02
, 5F033XX05
