特許
J-GLOBAL ID:200903070770840302

光電変換層評価装置及び光電変換層の評価方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 工藤 実 ,  中尾 圭策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-112097
公開番号(公開出願番号):特開2007-285810
出願日: 2006年04月14日
公開日(公表日): 2007年11月01日
要約:
【課題】太陽電池における積層された複数の電池層の各々の膜厚分布及び膜質を検査する。【解決手段】非晶質膜に吸収される第1光及び結晶質膜に吸収される第2光を薄膜へ照射する照射部3と、薄膜を透過した第1光及び第2光の透過光を受光する検出部2と、第1光の透過光及び第2光の透過光に基づいて薄膜中の非晶質膜成分及び結晶質膜成分の膜厚を算出する制御部7とを具備する光電変換層評価装置である。基板11の非晶質膜上に結晶質膜が積層されているとき、照射部3は、第1光を第1照射光とし、第2光を第2照射光として、非晶質膜及び結晶質膜へ照射する。検出部2は、第1照射光の第1透過光及び第2照射光の第2透過光を受光する。制御部7は、第1透過光に基づいて非晶質膜の第1膜厚を算出し、第2透過光に基づいて結晶質膜の第2膜厚を算出し、第1膜厚、第2膜厚及び結晶質膜が形成される前の非晶質膜の当初膜厚に基づいて、結晶質膜の膜質を評価する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
主として非晶質膜に吸収される第1波長の第1光、及び主として結晶質膜に吸収される第2波長の第2光の各々を、基板上に形成された薄膜へ照射する照射部と、 前記薄膜を透過した前記第1光の透過光、及び前記薄膜を透過した前記第2光の透過光の各々を受光する検出部と、 前記第1光の前記透過光に基づいて前記薄膜中の前記非晶質膜成分の膜厚を算出し、前記第2光の前記透過光に基づいて前記薄膜中の前記結晶質膜の膜厚を算出する制御部と を具備する 光電変換層評価装置。
IPC (2件):
G01B 11/06 ,  H01L 31/04
FI (3件):
G01B11/06 101Z ,  H01L31/04 X ,  H01L31/04 V
Fターム (37件):
2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB15 ,  2F065CC25 ,  2F065EE00 ,  2F065FF46 ,  2F065FF67 ,  2F065GG04 ,  2F065GG07 ,  2F065GG13 ,  2F065GG23 ,  2F065GG24 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL22 ,  2F065NN01 ,  2F065NN11 ,  2F065PP15 ,  2F065PP16 ,  2F065QQ00 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ26 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA40 ,  5F051CB12 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17
引用特許:
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (9件)
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