特許
J-GLOBAL ID：200903070851320214
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-113511
公開番号（公開出願番号）：特開2009-272641
出願日： 2009年05月08日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：
【課題】微細ピッチのパターンを実現可能であってパターニング精度の安定性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上の一部の領域に第1のホトレジストパターンを形成する第1の工程と、2種以上の原料ガスを交互に基板へ供給して、少なくとも第1のホトレジストパターンの表面に薄膜を堆積する第2の工程と、第1のホトレジストパターンが形成されていない領域の一部に第2のホトレジストパターンを形成する第3の工程と、を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上の一部の領域に第1のホトレジストパターンを形成する第1の工程と、
2種以上の原料ガスを交互に前記基板へ供給して、少なくとも前記第1のホトレジストパターンの表面に薄膜を堆積する第2の工程と、
第1のホトレジストパターンが形成されていない領域の一部に第2のホトレジストパターンを形成する第3の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 7/40
, H01L 21/306
H01L21/30 514A
, H01L21/30 575
, G03F7/20 521
, G03F7/40 511
, H01L21/302 105A
, H01L21/30 564Z
2H096AA25
, 2H096HA05
, 5F004AA04
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004EA06
, 5F004EA10
, 5F046AA13
, 5F046BA03
, 5F046DA29
, 5F046JA22
, 5F046LA18
, 5F046PA19
