特許
J-GLOBAL ID:200903071747421242

配向性カーボンナノチューブのパターン化された柱形状集合体および電界放出型冷陰極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 永井 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-256429
公開番号(公開出願番号):特開2006-073388
出願日: 2004年09月03日
公開日(公表日): 2006年03月16日
要約:
【課題】 垂直配向性があり、高さが一定であり、管径の細いカーボンナノチューブ(CNT)からなる、面積の小さな配向性CNT集合体、つまり配向性CNTの柱形状集合体をパターン形成することにより、低電圧で均一な電子放出を可能とする、電界放出型冷陰極を提供する。【解決手段】 第一の基体上に均一で高さが一定の配向性CNT膜を準備し、また第二の基体として複数個の接着スポットを1個のスポット面積が0.01mm2以下で任意の位置にパターン形成したものを準備し、第一の基体上の該配向性CNT膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着し、第二の基体の接着スポット部分のみ配向性CNT膜を残して第一の基体を剥離することにより、第二の基体上に垂直配向性があり高さが一定であるCNTからなる面積0.01mm2以下の配向性CNT集合体、つまり配向性CNTの柱形状集合体をパターン形成する。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成する工程と、第二の基体上に複数個の接着スポットを1個のスポット面積が0.01mm2以下で任意の位置にパターン形成する工程と、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着する工程と、該接着スポットに接着した配向性カーボンナノチューブを第一の基体から剥離する工程を経ることにより、第二の基体上の該接着スポットに配向性カーボンナノチューブが集合してなる柱形状の集合体を形成させることを特徴とする配向性カーボンナノチューブのパターン化された柱形状集合体の製造方法。
IPC (3件):
H01J 9/02 ,  C01B 31/02 ,  H01J 1/304
FI (3件):
H01J9/02 B ,  C01B31/02 101F ,  H01J1/30 F
Fターム (29件):
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC02 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127CC07 ,  5C127DD19 ,  5C127EE04 ,  5C127EE06 ,  5C127EE14 ,  5C135AA06 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AC09 ,  5C135AC30 ,  5C135HH04 ,  5C135HH06 ,  5C135HH14
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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