フォトレジスト用重合性不飽和化合物

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047682
公開番号（公開出願番号）：特開2002-251009
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、フォトレジスト用樹脂に用いられる高分子を重合にて製造する際に、再現性よく単峰性で狭分散である高分子を得ることである。また、このような高分子を使用したフォトレジスト用樹脂により、半導体の微細加工が可能とする。【解決手段】本発明は、フォトレジスト用高分子化合物の単量体として使用される重合性不飽和化合物であって、活性水素を有する化合物の含有率が500PPM以下であることを特徴とするフォトレジスト用重合性不飽和化合物を提供する。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト用高分子化合物の単量体として使用される重合性不飽和化合物であって、活性水素を有する化合物の含有率が500PPM以下であることを特徴とするフォトレジスト用重合性不飽和化合物。

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 , C07C 67/58 , C07C 69/013 , C07C 69/533 , C07C 69/54 , C08F 20/00

FI (7件)：

G03F 7/039 601 , C07C 67/58 , C07C 69/013 C , C07C 69/533 , C07C 69/54 B , C07C 69/54 Z , C08F 20/00

Fターム (26件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BG00 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4H006AD16 , 4H006BJ30 , 4J100AJ02P , 4J100AL08P , 4J100BA03P , 4J100BA11P , 4J100BA15P , 4J100BA16P , 4J100BA20P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC53P , 4J100BC58P , 4J100CA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (13件)

化学増幅型ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065432 出願人：住友化学工業株式会社
ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-188853 出願人：日本電気株式会社
ビニル基を含有する単量体及びその重合体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-280695 出願人：日本電気株式会社

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