特許
J-GLOBAL ID:200903072375068440

基板検査装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤本 英夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-228644
公開番号(公開出願番号):特開2005-233928
出願日: 2004年08月04日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】 製造された全ての半導体基板の所定の測定点における少なくとも応力と膜厚とを自動的に測定し、かつ、的確に分析して高性能で生産性よい基板製造工程の確立に寄与する基板検査装置を提供できるようにする。 【解決手段】 測定対象ウェハ3を移動可能な試料台4上に搬送する搬送装置と、試料台4上のウェハ3表面の測定点Pを観察する光学顕微鏡10と、その測定点Pに多波長の偏光された光L3 を照射してウェハ表面に関する情報を出力するエリプソメータ光学系40と、ウェハ3の測定点Pにレーザ光を照射してウェハ3に関する他の情報を出力するラマン分光光学系40と、それら情報を用いて膜厚・屈折率及び応力・組成などの物理情報を解析し出力するコンピュータ60とを備えている。 【選択図】 図2
請求項(抜粋):
移動可能に構成された試料台と、測定対象試料を試料台上に搬送する搬送装置と、試料台上の測定対象試料の測定点を観察する光学顕微鏡と、その測定点に多波長の偏光された光を照射して測定対象に関する情報を出力するエリプソメータ光学系と、前記光学顕微鏡の測定点にレーザ光を照射して測定対象に関する別の情報を出力するラマン分光光学系と、得られた情報を用いて測定点における膜厚または屈折率に加えて応力または組成を解析して出力する演算処理装置とを有することを特徴とする基板検査装置。
IPC (3件):
G01N21/21 ,  G01B11/06 ,  G01N21/65
FI (3件):
G01N21/21 Z ,  G01B11/06 Z ,  G01N21/65
Fターム (75件):
2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB17 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065DD06 ,  2F065EE01 ,  2F065FF49 ,  2F065GG02 ,  2F065GG03 ,  2F065GG04 ,  2F065GG23 ,  2F065GG24 ,  2F065HH08 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL00 ,  2F065LL02 ,  2F065LL12 ,  2F065LL22 ,  2F065LL28 ,  2F065LL30 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065NN20 ,  2F065PP12 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ41 ,  2F065RR09 ,  2F065SS02 ,  2G043AA01 ,  2G043AA03 ,  2G043CA07 ,  2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043FA02 ,  2G043FA06 ,  2G043GA02 ,  2G043GB18 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043HA07 ,  2G043HA09 ,  2G043KA02 ,  2G043KA07 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G059AA01 ,  2G059AA02 ,  2G059AA03 ,  2G059BB16 ,  2G059DD12 ,  2G059EE02 ,  2G059EE04 ,  2G059EE12 ,  2G059FF01 ,  2G059FF11 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ23 ,  2G059MM02 ,  2G059PP01 ,  2G059PP04 ,  2G059PP10
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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