フォトマスク及びそれを用いた電子デバイスの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391795
公開番号（公開出願番号）：特開2002-196483
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】本発明が解決すべき課題はKrFエキシマレーザリソグラフィ用のフォトマスクを製造期間短く、かつ低いコストで製造し、また半導体集積回路装置の製造期間及びコストを低減することである。【解決手段】フォトマスクの製造工程で、特定の光吸収化合物を含有する感光性樹脂組成物を用いて遮光体パタンを直接形成する。

請求項（抜粋）：

石英ガラス基板上に所望のパタンが形成された感光性樹脂塗膜からなる遮光体を有し、当該遮光体部のKrFエキシマレーザ光に対する透過率が1%以下であるKrFエキシマレーザリソグラフィ用フォトマスクを作製するための当該感光性樹脂組成物であって、下記一般式(化1)〜(化8)で表される光吸収化合物のうち少なくとも1種類を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。【化1】【化2】【化3】【化4】【化5】【化6】【化7】【化8】(ここでR1〜R10は水素,炭素数1〜4の置換または無置換アルキル基、ハロゲン,水酸基、メチロール基、炭素数1〜4の置換または無置換アルコキシ基,ヒドロキシル基,フェニル基,メトキシ基,エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセタール基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。R1〜R10は同一であってもよく,異なっていてもよい。また、Xはハロゲン化アセチル基,Yはカンファースルホネート、トリフルオロスルホネート、メタンスルホネート等の中から選ばれる原子または原子団を表す。)

IPC (8件)：

G03F 7/004 505 , C09K 3/00 , G03F 1/08 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (9件)：

G03F 7/004 505 , C09K 3/00 U , G03F 1/08 J , G03F 1/08 A , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 502 P , H01L 27/08 321 N

Fターム (30件)：

2H025AA02 , 2H025AA11 , 2H025AA18 , 2H025AB08 , 2H025AB20 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BJ10 , 2H025CC13 , 2H025DA19 , 2H095BA07 , 2H095BA12 , 2H095BB03 , 2H095BC06 , 2H095BC08 , 2H095BC27 , 2H097CA13 , 2H097FA02 , 2H097GB02 , 2H097LA09 , 2H097LA10 , 2H097LA17 , 5F048AA01 , 5F048AA09 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BE03 , 5F048BF07 , 5F048BG12 , 5F048BG14

引用特許：

審査官引用 (14件)

レチクルおよびレチクル製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-092517 出願人：松下電器産業株式会社
ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクの作製に用いる半透明部形成材料、及びハーフトーン型位相シフトマスクの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118121 出願人：ソニー株式会社
パタン形成方法及びそれに用いるフォトレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-089029 出願人：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社

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