特許
J-GLOBAL ID：200903073117197584

チタン酸化物薄膜を基板の表面に形成する方法

発明者：
高岡 義寛

高岡 義寛 について


出願人/特許権者：
国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (3件)： 清水 善廣 ,  阿部 伸一 ,  辻田 幸史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246810
公開番号（公開出願番号）：特開2006-063382
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 優れた特性を有するチタン酸化物薄膜を基板の表面に形成することができる新規な方法を提供すること。【解決手段】 金属チタンを基板の表面に気相蒸着させるとともに、酸素のクラスターイオンビームを加速して蒸着域に照射することを特徴とする。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
チタン酸化物薄膜を基板の表面に形成する方法であって、金属チタンを基板の表面に気相蒸着させるとともに、酸素のクラスターイオンビームを加速して蒸着域に照射することを特徴とする方法。
IPC (3件)：
C23C 14/48 ,  B01J 35/02 ,  C01G 23/04
FI (3件)：
C23C14/48 D ,  B01J35/02 J ,  C01G23/04 C
Fターム (19件)：
4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069DA05 ,  4G069EA08 ,  4G069ED02 ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4K029BA48 ,  4K029BC00 ,  4K029CA09 ,  4K029DB03 ,  4K029DD03 ,  4K029EA08
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM