特許
J-GLOBAL ID:200903074020940815

半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-176338
公開番号(公開出願番号):特開2006-004961
出願日: 2004年06月15日
公開日(公表日): 2006年01月05日
要約:
【課題】 金属ベースに冷却水を直接当てて冷却する構造のパワー半導体モジュールにおいて、低熱抵抗,低コスト,高信頼のモジュール構造、及び、実装構造を提供する。【解決手段】 絶縁基板接着面周囲には、金属ベースに密着するように、剛性の大きな金属フレームが配置されている。本構造で、金属フレームと金属ベース、及び、筐体を伴締めして冷却水を確実に封止できる。 金属ベースは、厚さが回路パタン付絶縁基板よりも薄く、焼鈍されている等により、剛性が小さく柔らかい。この構造で、金属ベースが変形することで絶縁基板接着層の歪は緩和され高信頼となる。【効果】 高信頼,低熱抵抗、かつ、低コストな直冷型パワー半導体モジュールを実現できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも電流のオンオフをスイッチングする半導体素子と、 前記半導体素子が電気的に接続される回路を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板と接着する接着面の反対面に冷却媒体が接触して前記半導体モジュールを冷却する金属ベースと、 前記金属ベースの前記絶縁基板との接着面周囲に前記金属ベースに密着するように配置された金属フレームと、 前記絶縁基板を格納する筐体とを有し、 前記金属フレームと前記金属ベース、及び、前記筐体を伴締めして冷却水を封止することを特徴とした半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 23/473 ,  H01L 23/36
FI (2件):
H01L23/46 Z ,  H01L23/36 Z
Fターム (7件):
5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01 ,  5F036BD14 ,  5F036BD21
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開平11-640393号公報
  • 電動機を制御する電力モジユール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-337574   出願人:テミツクテレフンケンマイクロエレクトロニツクゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
  • パワー半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-229561   出願人:エイビービーリサーチリミテッド
審査官引用 (10件)
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