特許
J-GLOBAL ID：200903074425892346
面発光レーザおよびその製造方法および面発光レーザアレイおよび画像形成装置および光ピックアップシステムおよび光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088188
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340779
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 半導体分布ブラッグ反射鏡を構成する材料のGa組成やGa/Al比の変化が小さく、かつ放熱性を考慮した面発光レーザ半導体膜でも、制御性よくエッチングできる構成を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の量子井戸活性層と障壁層とからなる活性層と該活性層の周囲に設けられ少なくとも1種類の材料からなるスペーサ層とを含む共振器領域と、該共振器領域の上部および下部に設けられた上部反射鏡および下部反射鏡とが積層膜として形成され、該積層膜がエッチングによってメサ形状に加工される面発光レーザであって、下部反射鏡は、低屈折率層がAlAsからなる第1下部反射鏡と、第1下部反射鏡の上に形成され、低屈折率層がAlGaAsからなる第2下部反射鏡とから構成され、共振器領域を構成するいずれかの層は、Inを含んでいる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の量子井戸活性層と障壁層とからなる活性層と該活性層の周囲に設けられ少なくとも1種類の材料からなるスペーサ層とを含む共振器領域と、該共振器領域の上部および下部に設けられた上部反射鏡および下部反射鏡とが積層膜として形成され、該積層膜がエッチングによってメサ形状に加工される面発光レーザであって、
上部反射鏡および下部反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であって、半導体分布ブラッグ反射鏡の少なくとも一部は、AlxGa1-xAs(0<x≦1)からなる屈折率が小なる層と、AlyGa1-yAs(0≦y<x≦1)からなる屈折率が大なる層とから構成され、
下部反射鏡は、低屈折率層がAlAsからなる第1下部反射鏡と、第1下部反射鏡の上に形成され、低屈折率層がAlGaAsからなる第2下部反射鏡とから構成され、
共振器領域を構成するいずれかの層は、Inを含んでいることを特徴とする面発光レーザ。
IPC (4件)：
FI (4件)：
Fターム (15件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AD06
, 5F173AF04
, 5F173AF96
, 5F173AG03
, 5F173AG22
, 5F173AH13
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP17
, 5F173AP33
, 5F173AR14
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
面発光半導体レーザ素子
公報種別：公開公報 出願番号：特願2000-361317 出願人：古河電気工業株式会社 -
アルミニウムのない活性領域を有する短波長VCSEL
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-247227 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド -
面発光レーザ装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平11-232601 出願人：日本電信電話株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)
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