多層構造半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156967
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139523
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】ZnSeおよびGaN系多層構造発光装置またはZnSe系ヘテロ構造FETのN-Nヘテロ界面に動作電流により生ずる過剰な電圧降下を低減し、装置の長寿命化を図る。【解決手段】過剰な電圧降下を生ずるN-Nヘテロ接合界面に、単数または複数のN形の中間層を設け、中間層の伝導帯の端のエネルギー値をその両面に隣接するN形化合物半導体の伝導帯の端のエネルギー値の中間にすることにより、前記N-Nヘテロ界面に生ずる過剰電圧降下を低減する。

請求項（抜粋）：

GaAsを含む第1のN形化合物半導体層と、ZnSeを含む第2のN形化合物半導体層と、前記第1と第2のN形化合物半導体層との間に設けられた、第3のN形化合物半導体層からなる、少なくとも1つの中間層であって、任意の1のN形中間層が有する伝導帯端のエネルギー準位が、その両面に隣接するN形化合物半導体の伝導帯端のエネルギー準位の中間の値である中間層とを具備することを特徴とする多層構造半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 27/12 , H01L 29/205 , H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 33/00 D , H01L 33/00 C , H01L 27/12 G , H01S 3/18 , H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (16件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-142224 出願人：ローム株式会社
特開昭61-046031
特開平3-034586

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