特許
J-GLOBAL ID：200903075772937380
低誘電率膜を堆積するためのプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-531599
公開番号（公開出願番号）：特表2002-503879
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2002年02月05日
要約：
【要約】約10Wから約200Wの一定のRFパワーレベルか、または約20Wから約500WのパルスRFパワーレベルで、オルガノシリコン化合物と酸化ガスを反応させて、低誘電率の膜を堆積するための方法および装置を提供する。オルガノシリコン化合物と混合させる前に酸化ガスの解離を高めることで、堆積された膜の炭素含有量を制御しやすくなる。酸化オルガノシランまたはオルガノシロキサン膜は、他の誘電体層に隣接するライナまたはキャップ層として使用するためのバリヤ特性が良好である。酸化オルガノシランまたはオルガノシロキサン膜はまた、デュアルダマシン構造を製造するためのエッチングストップおよび金属間誘電体層として使用されてもよい。酸化オルガノシランまたはオルガノシロキサン膜はまた、異なる誘電体層間に優れた密着性をもたらす。
請求項（抜粋）：
約10Wから約200Wの一定RFパワーレベルか、または約20Wから約500WのパルスRFパワーレベルで、炭素を含む1以上のシリコン化合物と酸化ガスを反応させる工程を含む低誘電率フィルムの堆積処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030AA24
, 4K030BA27
, 4K030BA29
, 4K030BA42
, 4K030BA44
, 4K030BA61
, 4K030EA01
, 4K030FA03
, 4K030FA14
, 4K030JA16
, 4K030KA17
, 4K030KA30
, 4K030KA41
, 4K030LA01
, 4K030LA15
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BF07
, 5F058BF22
, 5F058BF23
, 5F058BF29
, 5F058BF38
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
, 5F058BJ03
