特許
J-GLOBAL ID：200903077556083302

共振器およびこれを用いたフィルタ回路の製造方法

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182009
公開番号（公開出願番号）：特開2007-006001
出願日： 2005年06月22日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】より低損失でQ値の高い共振器およびフィルタ回路を実現する。【解決手段】サファイア基板101上にZnO犠牲層102を 200nm形成し、さらにその上にAlN層103を0.5μm形成する。AlN層103はサファイア基板101上にてエピタキシャル成長する。AlN層103上に共振器のAu下部電極104を形成する。これとは別にSi基板105上に柱状のAuSn電極107を形成し、このAuSn電極107とAu下部電極104を加熱しながら圧力を印加し貼り合わせる。続いてサファイア基板101を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極108を形成し、AlN層103下方に空隙111が形成された共振器を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の基板上に犠牲層および圧電層をこの順に形成し前記圧電層をエピタキシャル成長により形成する工程と、前記圧電層上に金属膜を形成する工程と、第2の基板上に第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極の一部と前記金属膜との貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程に続いて前記犠牲層を選択的に除去する除去工程と、前記除去工程により露出した前記圧電層上に第2の電極を形成する工程と含む共振器の製造方法。
IPC (10件)：
H03H 3/02 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/58 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02
FI (10件)：
H03H3/02 B ,  H03H9/17 F ,  H03H9/58 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101B ,  C30B29/38 C ,  C30B23/08 M ,  C30B25/02 Z
Fターム (21件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA11 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  5J108AA07 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108KK01 ,  5J108MM11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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