特許
J-GLOBAL ID：200903079729296318
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-323627
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289175
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 活性層にAlを含んでいなくても、より高い光出力を実用的な動作時間出すことができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 多重量子井戸活性層3は、2層の量子井戸層3aと、各量子井戸層3aの両側に設けられた障壁層3bとを有している。上記量子井戸層3aはIn<SB>1-v1</SB>Ga<SB>v1</SB>As<SB>1-w1</SB>P<SB>w1</SB>結晶からなり、障壁層3bはIn<SB>1-v2</SB>Ga<SB>v2</SB>As<SB></SB><SB>1-w2</SB>P<SB>w2</SB>結晶からなる。ここで、v1,v2はv1<v2を満たし、w1,w2はw1<w2を満たす。また、障壁層3bはGaAs基板に対して引っ張り歪を有し、量子井戸層3aはGaAs基板に対して圧縮歪を有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のGaAs基板上に、III-V族化合物半導体からなる第1導電型の第1クラッド層、活性層及び第2導電型の第2クラッド層がこの順序で形成され、上記活性層は、井戸層と、この井戸層よりエネルギーバンドギャップが大きくて上記井戸層を挟む障壁層とを有する半導体レーザ素子において、上記井戸層及び上記障壁層は、V族元素としてP及びAsを有し、III族元素としてGa及びInを有し、上記障壁層のV族元素におけるPの割合が、上記井戸層のV族元素におけるPの割合より大きく、上記障壁層のIII族元素におけるInの割合が、上記井戸層のIII族元素におけるInの割合より小さく、上記障壁層は上記GaAs基板に対して引っ張り歪を有し、上記井戸層は上記GaAs基板に対して圧縮歪を有し、発振波長が略780nmであることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F073AA13
, 5F073AA20
, 5F073AA45
, 5F073AA46
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA86
, 5F073AA89
, 5F073BA06
, 5F073CA13
, 5F073DA35
, 5F073EA24
, 5F073EA28
, 5F073EA29
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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