特許
J-GLOBAL ID：200903080061807666

照明装置

発明者：
安田 隆則

安田 隆則 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-309483
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123311
出願日： 2005年10月25日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】 高性能な発光素子を励起光源に用いて、蛍光体または燐光体で生じた光を効率よく外部に取り出すことのできる、高効率の照明装置を提供すること。【解決手段】 照明装置は、窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層、及び窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層を具備した窒化ガリウム系化合物半導体層多層体と、一導電型半導体層の主面もしくは逆導電型半導体層の主面に形成された反射層と、窒化ガリウム系化合物半導体層多層体の外部に設けられ、活性層で発光した光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備し、反射層は、波長選択性を有し、活性層の発光波長λ1に対しては透過性であり、発光波長λ1より長い波長λ2に対しては反射性である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
化学式Ga1-x1-y1Iny1Alx1N(ただし、0<x1+y1<1、x1>0、y1≧0とする)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層、化学式Ga1-x2-y2Iny2Alx2N(ただし、0<x2+y2<1、x2>0、y2≧0とする)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層、及び化学式Ga1-x3-y3Iny3Alx3N(ただし、0<x3+y3<1、x3>0、y3≧0とする)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層を具備した窒化ガリウム系化合物半導体層多層体(ただし、x1,x3>x2,y1,y3>y2とする)と、前記一導電型半導体層の主面もしくは前記逆導電型半導体層の主面に形成された反射層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層多層体の外部に設けられ、前記活性層で発光した光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備しており、前記反射層は、波長選択性を有し、前記活性層の発光波長λ1に対しては透過性であり、前記発光波長λ1より長い波長λ2に対しては反射性であることを特徴とする照明装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (16件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA94 ,  5F041CB15 ,  5F041CB16 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA46
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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