特許
J-GLOBAL ID：200903080393284608

窒化物半導体素子およびその製法

発明者：
中原 健

中原 健 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-136180
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313845
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：
【課題】 加工性のよい酸化亜鉛系化合物を基板として用いることにより、成長する窒化物半導体の結晶性をよくし、しかも基板の剥離やチップ化を非常に簡単に行うことができる構造の窒化物半導体素子およびその製法を提供する。【解決手段】 基板1上に窒化物半導体層が積層されて窒化物半導体素子を形成する場合に、基板1がMgxZn1-xO(0<x≦0.5)からなっており、その基板1に接してInyGa1-yN(0≦y≦0.5)からなる第1の窒化物半導体層2が設けられ、その第1の窒化物半導体層2上に半導体素子を形成するように窒化物半導体層3〜7が積層されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体層が積層されて形成される窒化物半導体素子であって、前記基板が酸化亜鉛系化合物からなり、該基板に接してInyGa1-yN(0<y≦0.5)からなる第1の窒化物半導体層が設けられ、該第1の窒化物半導体層上に半導体素子を形成するように窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体素子。
IPC (7件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/26 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (5件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01L29/26 ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/80 H
Fターム (39件)：
5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AD11 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA54 ,  5F045DA58 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F173AG13 ,  5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR82 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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