特許
J-GLOBAL ID：200903080400640610

半導体装置及びその製造方法

発明者：
吉川 俊英

吉川 俊英 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 真田 有 ,  山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-153041
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302191
出願日： 2008年06月11日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】例えば高抵抗半導体基板を用いて高周波デバイスを実現する場合などに、コストを低く抑えながら、寄生容量が増加しないようにし、利得及び効率を十分に高め、帯域を十分に広くする。【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に形成された化合物半導体層2とを備え、半導体基板1に対してドーパントにならない不純物が、半導体基板1と化合物半導体層2との界面及びその近傍を含む領域に存在する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された化合物半導体層とを備え、 前記半導体基板に対してドーパントにならない不純物が、前記半導体基板と前記化合物半導体層との界面及びその近傍を含む領域に存在することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (21件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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