特許
J-GLOBAL ID：200903081662139713
半導体センサ及び半導体センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-012925
公開番号（公開出願番号）：特開2009-174960
出願日： 2008年01月23日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】安価且つ高感度の半導体センサ及び当該半導体センサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に積層された複数の圧電薄膜と、前記複数の圧電薄膜の内、少なくとも上下1対の圧電薄膜の界面に形成された表面弾性波励起用の1対の電極と、最下層の圧電薄膜と当該最下層の圧電薄膜の直下の薄膜との界面に形成されると共に、最上層の圧電薄膜の表面における凸凹部の生成を促進させる金属薄膜と、前記最上層の圧電薄膜上において少なくとも前記凸凹部上に形成された分子吸着用の感応膜と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された複数の圧電薄膜と、
前記複数の圧電薄膜の内、少なくとも上下1対の圧電薄膜の界面に形成された表面弾性波励起用の1対の電極と、
最下層の圧電薄膜と当該最下層の圧電薄膜の直下の薄膜との界面に形成されると共に、最上層の圧電薄膜の表面における凸凹部の生成を促進させる金属薄膜と、
前記最上層の圧電薄膜上において少なくとも前記凸凹部上に形成された分子吸着用の感応膜と、
を備えることを特徴とする半導体センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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引用文献：
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