特許
J-GLOBAL ID：200903084116960685
表面実装型SAWデバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293110
公開番号（公開出願番号）：特開2004-129092
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】通常の半導体部品に適用されているCSP技術を用いてSAWチップを封入する際に基板に形成した貫通孔から負圧吸引したり、加熱温度と吸引とのプロファイル管理を厳密化する必要のない表面実装型SAWデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】実装基板上にSAWチップ15をフリップチップに実装する実装工程と、実装基板40の一端から他端へ向けて樹脂シート31を軟化又は溶融させながら樹脂シートを加圧することにより気密空間Sを確保しながらSAWチップ15外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、SAWチップ15を加圧しながら加熱することにより、気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹脂を硬化させるプレス成形工程と、プレス成形工程を経たSAWデバイスを、樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程と、を備え、ラミネート工程前の樹脂シートの厚みtrが、L/[(X+Gx)(Y+Gy)]≦tr の関係にある。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したIDT電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたSAWチップと、前記SAWチップをフェイスダウン状態で実装基板上にフリップチップ実装した状態でSAWチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記IDT電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備えた表面実装型SAWデバイスの製造方法において、
前記配線パターンと前記接続パッドとを前記導体バンプを介して接続することにより前記実装基板上にSAWチップをフリップチップ実装するフリップチップ実装工程と、
前記SAWチップ上面にSAWチップ上面よりも面積が大きい樹脂シートを載置して該実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シートを軟化又は溶融させながら樹脂シートを加圧することにより前記気密空間を確保しながらSAWチップ外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、
前記樹脂にて外面をラミネートしたSAWチップを加圧しながら加熱することにより、前記気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹脂を硬化させるプレス成形工程と、
プレス成形工程を経たSAWデバイスを、樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程と、を備え、
前記ラミネート工程前の樹脂シートの厚みtrが、
L/[(X+Gx)(Y+Gy)]≦tr
但し、L=(X+Gx)(Y+Gy)(H+T+A)-XYT-XYA-[XVyA+YVxA+(4VxVyA)/3]
(L:一つのSAWチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体積、X:SAWチップの一辺の長さ、Y:SAWチップの他辺の長さ、Gx:X方向に隣接し合うSAWチップ間の間隔、Vx:Y方向へ延びるダイシング切り代から直近のSAWチップの側面までの距離、Gy:Y方向に隣接し合うSAWチップ間の間隔、Vy:X方向へ延びるダイシング切り代から直近のSAWチップの側面までの距離、H:一つのSAWチップ外面を樹脂シートにて被覆完了した後のSAWチップ上面に位置する樹脂の厚さ、T:圧電基板の厚さ、A:実装基板母材上面から圧電基板底面までの間隔)であることを特徴とする表面実装型SAWデバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5J097AA25
, 5J097EE05
, 5J097EE08
, 5J097EE09
, 5J097FF00
, 5J097FF05
, 5J097GG02
, 5J097GG03
, 5J097HA07
, 5J097JJ03
, 5J097JJ06
, 5J097JJ09
, 5J097JJ10
, 5J097KK10
