特許
J-GLOBAL ID：200903085048906134

マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器

発明者：
四谷 真一

四谷 真一 について

, 
桑原 貴之

桑原 貴之 について

, 
池原 忠好

池原 忠好 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-084644
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276480
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 被成膜領域の大型化に対応することができ、高精度にパターニングすることができるマスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供する。【解決手段】 支持基板10と、支持基板10に取り付けられた複数のチップ20とを有し、チップ20は、被成膜面に形成される薄膜パターンの少なくとも一部の形状に対応させた開口部を有し、チップ20が占有する面積は、複数のチップ20を用いて形成される薄膜パターンの面積よりも小さいことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、該支持基板に取り付けられた複数のチップとを有し、 前記チップは、被成膜面に形成される薄膜パターンの少なくとも一部の形状に対応させ た開口部を有し、 前記チップが占有する面積は、前記複数のチップを用いて形成される薄膜パターンの面 積よりも小さいことを特徴とするマスク。
IPC (3件)：
H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  H05B33/14
FI (3件)：
H05B33/10 ,  C23C14/04 A ,  H05B33/14 A
Fターム (12件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03 ,  4K029HA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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