特許
J-GLOBAL ID：200903085653830360

ミリ波帯半導体スイッチ回路

発明者：
塚原 良洋

塚原 良洋 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101264
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294568
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 従来よりもFETの形状に付随するインダクタンス成分を小さく抑え、高い周波数(ミリ波帯)のRF信号に対して良好なスイッチ特性を示す電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体スイッチは、半導体基板上に、ゲート電極を第1及び第2の電極により挟んでなる複数組のFETを並列接続してなる半導体スイッチであって、上記複数組のFETの互いに隣り合う第1の電極同士を電極の長手方向に沿って引き出し、接続する電極引き出し線路と、上記複数組のFETの隣り合う第2の電極同士を上記電極引き出し線路に直交する向きに接続する電極接続配線と、上記複数組のFETの第2の電極の内、少なくとも最離位置にある2つの第2の電極を接地する接地配線とを備える。
請求項（抜粋）：
ミリ波帯の伝送線路に対して、接地との間にスイッチング素子としての電界効果トランジスタを設けてなるミリ波帯半導体スイッチ回路において、給電線路に接続される複数の櫛歯状のゲート電極と、上記複数のゲート電極を所定の間隔をおいて交互に挟む各複数の第1電極及び第2電極と、上記複数の第1電極を、該第1電極の長手方向の両端において互いに接続する第1電極接続配線と、隣り合う第2電極をエアーブリッジにより接続する第2電極接続配線と、上記第1電極接続配線、又は、上記第2電極接続配線により接続される第2電極であって接続方向の両端に位置する2つの第2電極を接地する接地配線とを備え、上記接地配線に接続されていない、上記第2電極接続配線により接続される第2電極であって接続方向の両端に位置する2つの電極、又は、上記第1電極接続配線に、伝送線路を接続したことを特徴とするミリ波帯半導体スイッチ回路。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01P 1/15
FI (2件)：
H01L 29/80 L ,  H01P 1/15
Fターム (8件)：
5F102FA07 ,  5F102GA18 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GS09 ,  5F102GV01 ,  5J012BA02
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 特開昭64-081501
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-177201   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037544   出願人：三菱電機株式会社
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審査官引用 (11件)
  • 特開昭64-081501
  • 特開昭64-081501
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154527   出願人：株式会社ジャパンエナジー
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