特許
J-GLOBAL ID:200903087488458721
CMOS半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-189346
公開番号(公開出願番号):特開2006-332687
出願日: 2006年07月10日
公開日(公表日): 2006年12月07日
要約:
【課題】CMOS半導体装置において、pチャネルMOSトランジスタの動作速度を向上させる。【解決手段】第1の素子領域と第2の素子領域とを含む基板と、前記第1の素子領域上に第1のゲート絶縁膜を介して形成されたn型半導体材料よりなる第1のゲート電極と、前記第1の素子領域中、前記第1のゲート電極の両側に形成された一対のn型拡散領域と、前記第2の素子領域上に第2のゲート絶縁膜を介して形成されたp型半導体材料よりなる第2のゲート電極と、前記第2の素子領域中、前記第2のゲート電極の両側に形成された一対のp型拡散領域とよりなるCMOS半導体装置において、前記第2の素子領域は、前記第1の素子領域のホール移動度よりも大きなホール移動度を有する。【選択図】図14
請求項(抜粋):
第1の素子領域と第2の素子領域とを含む基板と、
前記第1の素子領域上に第1のゲート絶縁膜を介して形成されたn型半導体材料よりなる第1のゲート電極と、
前記第1の素子領域中、前記第1のゲート電極の両側に形成された一対のn型拡散領域と、
前記第2の素子領域上に第2のゲート絶縁膜を介して形成されたp型半導体材料よりなる第2のゲート電極と、
前記第2の素子領域中、前記第2のゲート電極の両側に形成された一対のp型拡散領域とよりなるCMOS半導体装置であって、
前記第2の素子領域は、前記第1の素子領域のホール移動度よりも大きなホール移動度を有することを特徴とするCMOS半導体装置。
IPC (6件):
H01L 27/092
, H01L 21/823
, H01L 21/28
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/78
FI (6件):
H01L27/08 321C
, H01L27/08 321D
, H01L21/28 301R
, H01L29/58 G
, H01L29/78 301G
, H01L29/78 301B
Fターム (88件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD43
, 4M104DD55
, 4M104DD83
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F048AA08
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA19
, 5F048BB04
, 5F048BB06
, 5F048BB07
, 5F048BB09
, 5F048BB10
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BB13
, 5F048BB14
, 5F048BC06
, 5F048BD09
, 5F048BE03
, 5F048BF07
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048DA23
, 5F140AA01
, 5F140AB03
, 5F140AC01
, 5F140AC28
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA05
, 5F140BA06
, 5F140BA17
, 5F140BB18
, 5F140BC13
, 5F140BD01
, 5F140BD05
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BE07
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF05
, 5F140BF10
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BF16
, 5F140BF20
, 5F140BF21
, 5F140BF25
, 5F140BG08
, 5F140BG28
, 5F140BG32
, 5F140BG33
, 5F140BG39
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BH15
, 5F140BJ10
, 5F140BJ11
, 5F140BJ17
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140BK25
, 5F140CA02
, 5F140CA03
, 5F140CB04
, 5F140CE07
引用特許:
審査官引用 (13件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-262103
出願人:株式会社日立製作所
-
特開昭63-122176
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-083244
出願人:富士通株式会社
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