半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-046359
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237760
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】簡単な構成で低電圧での動作マージンの改善と低消費電力化とを実現したレベルシフト回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】第1電圧レベルの入力信号を受けて相補的にスイッチ制御される第1導電型の第1及び第2MOSFETのドレインに、上記第1電圧レベルよりも大きな第2電圧がソースに供給され、ゲートとドレインが交差接続された第2導電型の第3と第4MOSFETのドレインをそれぞれ接続してレベルシフトされた出力信号を得るとともに、上記第1及び第2MOSFETのゲートとボディとの間に抵抗手段を設けてオン状態に変化するときにはしきい値電圧を低く、オフ状態に変化するときにはしきい値電圧を高くなるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電圧レベルの入力信号を受けて相補的にスイッチ制御される第1導電型の第1及び第2MOSFETと、上記第1電圧レベルよりも大きな第2電圧がソースに供給され、ゲートとドレインが交差接続され、上記ドレインが上記第1と第2MOSFETのドレインにそれぞれ接続された第2導電型の第3と第4MOSFETとを備え、上記第1又は第2MOSFETをオン状態にするときにしきい値電圧を低くなるような電圧を抵抗手段を介して基板に供給し、上記第1又は第2MOSFETのドレインから上記第2電圧に対応した出力信号を得るレベルシフト回路を備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H03K 19/018 , H01L 27/08 , H01L 27/088 , H01L 21/823 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (5件)：

H03K19/00 101E , H01L27/08 331E , H01L27/08 102A , H01L27/04 F , H01L27/04 G

Fターム (32件)：

5F038AV04 , 5F038AV06 , 5F038BG09 , 5F038CD04 , 5F038DF01 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA16 , 5F048BB14 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF18 , 5F048BG12 , 5J056AA00 , 5J056AA32 , 5J056BB17 , 5J056BB49 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056DD55 , 5J056EE04 , 5J056EE07 , 5J056FF08 , 5J056KK02

引用特許：

出願人引用 (10件)

プリント装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-144989 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-181359 出願人：日本電気株式会社
CMOS論理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055594 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

審査官引用 (8件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-069067 出願人：富士通株式会社
レベルシフタ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-340085 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-164772 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る